솔브레인은 1986년 테크노무역상사로 시작해 선진기술의 국산화와 우리 기술의 세계화를 가치로 하여 반도체와 디스플레이, 이차전지 등 첨단산업 소재를 비롯해 IT 관련 핵심소재를 생산, 공급해 온 기업입니다.
1. 회사 개요
- 법인명:
- 솔브레인
- 설립일:
- 1986년 5월 6일
- 상장일:
- 2000년 1월 18일
- 자본금:
- 104.82 억원
- 주요 사업:
- 기타 화학제품
- 소재지:
- 경기도 성남시 분당구 판교로255번길 24
- 홈페이지:
- http://soulbrain.co.kr
2. 주요 제품 및 서비스
솔브레인의 연결대상 종속회사에 포함된 회사들이 영위하는 사업으로는 2차전지 전해액 생산 및 판매(Soulbrain MI, Inc., Soulbrain E&I Malaysia SDN BHD, Soulbrain HU Kft., 솔브레인네트워크㈜), Rigid OLED glass Scribing 및 Cell 임가공업, 반도체 Probe Card, 2차전지 리드탭 생산 및 판매(솔브레인에스엘디㈜), 디스플레이 광학필름 제조(솔브레인옵토스㈜), 디스플레이 장비, 공정 재료 생산 및 판매(㈜씨엠디엘), 바이오헬스케어 사업(ARK Diagnostics, Inc., Pixcell Medical Technologies Ltd., Pixcell Medical, Inc., ㈜진켐, Roswell ME Inc.), 전자상거래 및 통신판매업(㈜비즈네트웍스), 기타 전문서비스업 및 부동산임대업 등(에스비노브스㈜, Soulbrain CA, LLC, SB 125 Rio Robles, LLC), 펀드투자(나우아이비 13호 펀드, 나우아이비 14호 펀드)가 있습니다.
3. 재무 상태 및 성과
솔브레인은 지난 3분기 연결 매출 2199억 원, 영업이익 397억 원을 기록했습니다. 매출과 영업이익 모두 시장전망치(매출액 2275억 원, 영업이익 478억 원)을 하회했습니다. 솔브레인은 현재 삼성전자, 삼성디스플레이, SK하이닉스, LG디스플레이 등 국내 반도체 및 디스플레이 제조사에 공정용 화학 소재 등을 안정적으로 공급하고 있습니다. 또한 삼성SDI, SK온, LG에너지솔루션 등의 국내 2차전지 제조사에 관련 제품을 공급하고 있습니다. 따라서 솔브레인의 목표시장은 반도체, 디스플레이 및 2차전지 제조사에서 사용하는 원자재 시장입니다. 솔브레인은 해외시장 진출을 위하여 2012년 12월 중국에 반도체 공정소재 생산 및 판매를 위한 현지법인인 솔브레인(시안)전자재료유한공사를 설립하였고, 2016년 1월에는 반도체용 고순도 인산 생산 및 판매를 위한 솔브레인라사 주식회사를 설립하였습니다. 또한 신규시장 진출을 위해 2022년 1월 미국에 SOULBRAIN TX LLC를 설립하였고, 종속회사인 솔브레인라사를 통하여 2024년 1월 미국에 SOULBRAIN RASA TX LLC를 설립하였습니다. 솔브레인이 영위하는 사업의 고객사는 DRAM과 NAND의세계 초일류 기술과 생산성을 확보하고 있습니다. 또한, 비메모리반도체 부분에 대해서도 공격적인 전략을 시행 중이며, 현재 국내외 생산 Line의 증설 및 투자를 진행하고 있습니다.
4. 산업 동향 및 경쟁 환경
세계 반도체 산업은 미국이 설계, 일본이 소재와 장비 공급, 대만과 한국이 제조를 담당하는 안정적인 공급망을 구축해 왔습니다. 그러나 미국과 중국의 갈등으로 인해 중국이 독자적인 공급망을 구축해야 하는 상황에 직면하게 되었습니다. 이 여파가 상호 간 무역제재에서 기술제재, 첨단산업 생태계 제재로 그 수위를 지속적으로 높여온 결과 작년 첨단 기술의 핵심인 글로벌 반도체 산업이 하락세를 보이고, 국내 반도체 기업들이 반도체 가격 하락과 재고 물량 적체로 전에 없던 적자를 경험하게 된 것입니다. 국내외 반도체 업계는 생성형 AI를 반도체 시장 성장을 견인해나갈 기대주로 주목하고 있습니다.
5. 투자 전망과 위험 요인
솔브레인의 주요 고객사인 삼성전자의 반도체 투자 감소가 솔브레인의 실적에 부담으로 작용할 것이라는 전망입니다. 삼성전자의 HBM3e 양산 검증 지연과 소비자 수요 부진으로 인해 HBM 증설 속도가 늦춰지고, 기존 장비를 활용한 V8 증설 방식으로 변경될 가능성이 높다는 것입니다. LPDDR4에서 HBM3e로의 장비 전환 과정에서 반도체 소재 수요가 일시적으로 감소함에 따라 솔브레인의 실적에 부정적인 영향을 미칠 것으로 예상됩니다. 메모리 수요의 극단화가 심화되면서 메모리 공급업체들의 설비투자(capex)는 보수적인 기조로 변화하기 시작한 탓입니다. 그러나 솔브레인의 분기 실적은 연말· 연초를 지나가면서 서서히 회복되기 시작할 것으로 전망하고 있습니다. 예상보다 늦춰지고는 있지만, 삼성전자의 HBM3e 8단과 12단 제품이 엔비디아(NVIDIA)의 H200와 B200A에 공급되며, 솔브레인의 반도체 소재 출하량 증가로 이어질 것으로 판단하기 때문입니다. 최근 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 블룸버그TV와의 인터뷰에서 삼성전자의 HBM 3E를 구체적으로 언급하면서, 시장 일각에선 삼성전자의 HBM 엔비디아 납품이 임박했다는 기대감이 감지되고 있습니다.
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HBM(High Bandwidth Memory)은 고성능 컴퓨팅을 위해 설계된 고속 메모리 기술로, 그래픽 처리 장치(GPU), 인공지능(AI) 가속기, 고성능 컴퓨팅(HPC) 등에 사용됩니다. 기존 메모리 기술보다 더 높은 대역폭과 낮은 소비 전력을 제공하며, 특히 대량의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 응용 분야에서 중요한 역할을 합니다. HBM은 특히 AI, 머신러닝, 그래픽 렌더링 등 고성능 데이터 처리가 요구되는 분야에서 필수적인 메모리 기술로 자리 잡고 있습니다.
HBM의 특징
- 고속 데이터 처리: HBM은 기존의 GDDR 메모리보다 더 높은 대역폭을 제공해 데이터를 훨씬 빠르게 전송할 수 있습니다. 예를 들어, HBM3는 최대 수백 GB/s의 대역폭을 지원합니다.
- 소형화: HBM은 3D 스택 구조를 사용하여 여러 메모리 칩을 수직으로 적층(stack)한 형태로 제작됩니다. 이로 인해 PCB 공간을 절약할 수 있습니다.
- 낮은 전력 소비: 데이터 전송에 필요한 전력이 적어 고성능 시스템의 에너지 효율성을 향상시킵니다.
- 프로세서와의 근접 배치: HBM은 프로세서와 가까운 곳에 배치되어 데이터 전송 지연(Latency)을 최소화합니다.
HBM의 구조
- HBM은 DRAM 칩을 수직으로 적층(stack)한 후, 실리콘 인터포저를 통해 서로 연결하는 방식으로 제작됩니다.
- TSV(Through-Silicon Via)라는 기술을 통해 칩 사이의 신호를 전달합니다.
- 메모리와 프로세서 간의 짧은 물리적 거리로 인해 전송 속도가 빠르고 전력 소비가 줄어듭니다.
HBM의 주요 버전
- HBM (초기 버전): 약 128GB/s의 대역폭 제공.
- HBM2: 대역폭과 용량이 증가(최대 256GB/s, 최대 8GB 용량 지원).
- HBM2E: HBM2의 개선 버전으로, 대역폭이 더 높고(최대 460GB/s), 용량이 증가(최대 16GB).
- HBM3: 최신 기술로, 최대 대역폭 819GB/s와 용량 24GB 이상 지원.
HBM의 응용 분야
- 그래픽 처리: 고성능 GPU에서 HBM을 사용하여 그래픽 렌더링 속도와 품질을 향상.
- 인공지능(AI): 딥러닝 모델 학습과 추론에 필요한 방대한 데이터를 처리.
- 고성능 컴퓨팅(HPC): 과학 연구, 시뮬레이션 등 대규모 연산 작업을 수행하는 시스템.
- 데이터 센터: 클라우드 컴퓨팅과 데이터 분석에서 대량의 데이터 전송 속도를 요구하는 경우.
HBM의 장점과 단점
장점: 높은 대역폭, 전력 효율성, 소형화 가능.
단점: 제조 비용이 높음, 구현이 복잡해 시스템 설계의 난이도가 증가.
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